标题: 三菱电机携新品谢幕PCIM亚洲展 [打印本页] 作者: Craoline1224 时间: 2014-7-9 06:19 标题: 三菱电机携新品谢幕PCIM亚洲展 三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题，携带六款全新产品完美谢幕6月17-19日在上海世博展览馆举办的PCIM亚洲展2014。本次三菱电机展出的产品范围跨越六大领域，包括：工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。8 |& C. F3 ?% ?5 W
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在新产品方面，这次展出的全新第7代IGBT模块获得了观众的广泛关注。它适合应用在工业驱动和太阳能发电上，并采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片；具有650V、1200V和1700V三种电压等级；提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性；涵盖模块电流75A至2500A；继承传统的三种封装，适应不同的结构设计需求；采用预涂热界面材料，降低模块与散热器的接触热阻等特点。 5 p7 P! J$ U) G& J6 x( S" ~ $ C" p) G! F/ ^% X' { 在高端变频器和伺服驱动器应用方面，本次展会中推出的G系列IPM(智能功率模块)，采用了第7代CSTBTTM硅片，能进一步降低损耗；并采用了更适合伺服驱动应用的窄长形封装；其兼容控制管脚和现有L1系列相同。. X$ s2 L1 Y, C/ y2 y& S P# H* a- _
8 q& `4 t/ l; `) e" b+ R$ v9 k# E- ?/ h : N, w! C, P: R % R- E U. f) q$ R$ j 对于铁路牵引和直流输电应用，展出了新推出的X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT，能进一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级；并应用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术，可以实现更低饱和压降和开关损耗；是采用针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。) h- {1 f, U: B F1 A
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在电动汽车应用上，展出的是最新J1系列EV T-PM模块，它是采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块。并应用了低损耗的第7代IGBT硅片技术。与传统结构相比，它能将热阻降低40%，安装面积减小40%。非常适合体积紧凑的电动车。 " C9 U; n1 K+ T6 n' x( [# e 2 `; u+ B' I G6 @. p 另外，针对太阳能发电，本次展会上还展出了三电平逆变器用IGBT模块。它的特色是低损耗、低电感、高绝缘和易并联，能完全满足正在发展的太阳能发电市场的需要。2 |* @% a; q: L+ {( O
+ `% p# C& E4 b1 D: k; y 在碳化硅器件应用方面，今年继续展出了四款产品，其中包括用于变频空调的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驱动器的混合碳化硅IPM、用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块、以及用于铁路牵引的混合碳化硅HVIGBT。1 F: X2 T( e+ O2 \- e/ ?2 S
1 D% B }" L' o' K$ v" y0 o 与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用碳化硅功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；确保高温环境下运行的可靠性；还易于实现高电压大功率的设计。碳化硅功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。8 }) V6 [/ G6 x" N) w
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