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三菱电机六款新品大受青睐

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发表于 2014-6-26 06:27:00 |只看该作者 |正序浏览
  6月17-19日,以“创新功率器件构建可持续未来”为题,三菱电机携六款全新产品,在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014中隆重亮相,并大放异彩。
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  据悉,三菱电机今年展出的产品范围跨越六大领域,包括工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。& d5 A  J2 P' v) ~+ Y+ \
  
. a. F$ H. P4 P: {  在新产品方面,三菱电机这次展出了全新的第7代IGBT模块,适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流75A至2500A;继承传统的三种封装,适应不同的结构设计需求;采用预涂热界面材料,降低模块与散热器的接触热阻。
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  在高端变频器和伺服驱动器应用方面,三菱电机这次推出的G系列IPM(智能功率模块),采用第7代CSTBTTM硅片,进一步降低损耗;采用更适合伺服驱动应用的窄长形封装;兼容控制管脚和现有L1系列相同。1 Z" n( V! z8 y) B
  
3 A8 P1 O# R- c3 b  对于铁路牵引和直流输电应用,三菱电机新推出了X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT,进一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级;应用第7代IGBT和RFCDiode硅片技术,实现更低饱和压降和开关损耗;采用针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。$ e* O4 b! f& w* g
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  在电动汽车应用上,最新的J1系列EVT-PM模块,采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块;应用低损耗的第7代IGBT硅片技术;与传统结构相比,热阻降低40%,安装面积减小40%,适合体积紧凑的电动车。" k* e& ^9 |9 r% }1 K
  
. V" M3 h9 i& _( R' \  另外,针对太阳能发电,三菱电机还展出三电平逆变器用IGBT模块,它的特色是低损耗、低电感、高绝缘和易并联,能完全满足正在发展的太阳能发电市场的需要。
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  在碳化硅器件应用方面,三菱电机今年将继续展出四款产品,包括用于变频空调的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驱动器的混合碳化硅IPM、用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块、以及用于铁路牵引的混合碳化硅HVIGBT。! U4 r; ~9 |8 G. S" Q
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  据三菱电机相关负责人介绍,与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用碳化硅功率器件开发电力电子变流器,能提高功率密度,缩小装置体积;提升变流器效率;提高开关频率,缩小滤波器体积;确保高温环境下运行的可靠性;还易于实现高电压大功率的设计。碳化硅功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。* B+ O7 g+ \. r/ v& E  ^
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  同时,为了方便客户采用新型功率模块开发变流器产品,三菱电机还展示了多种一体化应用解决方案,包括基于新MPD的风电用MPDStacK;基于新MPD的500kW光伏逆变器功率组件;基于工业用小型DIPIPMTM的伺服驱动器解决方案;基于第6代DIPIPMTM的通用变频器解决方案;基于第6代DIPIPMTM的变频空调压缩机驱动解决方案;基于MOSDIPIPMTM的变频冰箱压缩机驱动解决方案;及J1系列EVT-PM测试套件。
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  三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业集团。在最新的《财富》500强排名中,名列第244。
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1 T( m/ s2 N/ x- }: q: p  作为一家技术主导型的企业,三菱电机拥有多项领先技术,并凭强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。作为全球首家掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司,三菱电机将积极致力于基于新材料的开发和应用,努力为电力电子业界奉献高性能和高可靠性的功率半导体模块。
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