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三菱电机携新品谢幕PCIM亚洲展

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发表于 2014-7-9 06:19:00 |只看该作者 |倒序浏览
  三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题,携带六款全新产品完美谢幕6月17-19日在上海世博展览馆举办的PCIM亚洲展2014。本次三菱电机展出的产品范围跨越六大领域,包括:工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。3 E1 P7 K! M8 j+ N, H. \

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* Y) |" o8 B5 E! F- H- Y% U' N. z/ P  在新产品方面,这次展出的全新第7代IGBT模块获得了观众的广泛关注。它适合应用在工业驱动和太阳能发电上,并采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流75A至2500A;继承传统的三种封装,适应不同的结构设计需求;采用预涂热界面材料,降低模块与散热器的接触热阻等特点。& @/ i* f- E& m) [
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  在高端变频器和伺服驱动器应用方面,本次展会中推出的G系列IPM(智能功率模块),采用了第7代CSTBTTM硅片,能进一步降低损耗;并采用了更适合伺服驱动应用的窄长形封装;其兼容控制管脚和现有L1系列相同。
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  对于铁路牵引和直流输电应用,展出了新推出的X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT,能进一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级;并应用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术,可以实现更低饱和压降和开关损耗;是采用针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。2 V: _7 W, h* ]- e8 O
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  在电动汽车应用上,展出的是最新J1系列EV T-PM模块,它是采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块。并应用了低损耗的第7代IGBT硅片技术。与传统结构相比,它能将热阻降低40%,安装面积减小40%。非常适合体积紧凑的电动车。
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7 P& K) P! U) }  h  ~6 H. z  另外,针对太阳能发电,本次展会上还展出了三电平逆变器用IGBT模块。它的特色是低损耗、低电感、高绝缘和易并联,能完全满足正在发展的太阳能发电市场的需要。) U, c: E6 \( V$ C% b& C9 P
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  在碳化硅器件应用方面,今年继续展出了四款产品,其中包括用于变频空调的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驱动器的混合碳化硅IPM、用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块、以及用于铁路牵引的混合碳化硅HVIGBT。
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  与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用碳化硅功率器件开发电力电子变流器,能提高功率密度,缩小装置体积;提升变流器效率;提高开关频率,缩小滤波器体积;确保高温环境下运行的可靠性;还易于实现高电压大功率的设计。碳化硅功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。8 a+ R+ V" P0 k9 r% s4 N
  
* b8 B: I( L5 u6 j, L  为了方便客户采用新型功率模块开发变流器产品,三菱电机本次更展出了多种一体化应用解决方案,它包括基于新MPD的风电用MPDStacK;基于新MPD的500kW光伏逆变器功率组件;基于工业用小型DIPIPMTM的伺服驱动器解决方案;基于第6代DIPIPMTM 的通用变频器解决方案;基于第6代DIPIPMTM的变频空调压缩机驱动解决方案;基于MOS DIPIPMTM 的变频冰箱压缩机驱动解决方案;及J1系列EV T-PM测试套件。
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